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J-GLOBAL ID：200903077763914362

窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor：
谷保 芳孝

About 谷保 芳孝

, 
嘉数 誠

About 嘉数 誠

, 
牧本 俊樹

About 牧本 俊樹


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004246001
Publication number (International publication number)：2006066556
Application date： Aug. 25, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
【課題】 発光波長200nm付近で発光出力が極めて高い発光素子を提供し、またn型AlNを用いた高出力電子素子を提供すること。【解決手段】 半導体または絶縁体基板上に、アンドープAlN層、n型AlN層、p型AlN層をエピタキシャル成長し、AlNのpn接合を形成する。これにより、欠陥の少ないアンドープAlN層によって電気的特性の優れたn型AlN層、p型AlN層が得られ、発光波長200nm付近において発光出力を大幅に増加できる。また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープAlN層により電気伝導性が極めて優れたn型AlN層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
半導体または絶縁体基板上に、アンドープAlN層、n型AlN層の順で積層された構造を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (8)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/027
FI (6)：
H01L33/00 A ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/323 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 B ,  H01L21/30 515B
F-Term (39)：
4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F046CA03 ,  5F046CA08 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F173AH28 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ10 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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