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J-GLOBAL ID：200903077876261381

内部電源電位供給回路、昇圧電位発生システム、出力電位供給回路及び半導体記憶装置

Inventor：
大石 司

About 大石 司


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996147181
Publication number (International publication number)：1998027026
Application date： Jun. 10, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】 内部電源電位を精度良く供給することができる内部電源電位供給回路を得る。【解決手段】 外部電源電位VCEはPMOSトランジスタQ1のソースに接続され、PMOSトランジスタQ1のドレインより内部電源電位VCIが負荷11に付与される。このPMOSトランジスタQ1のゲートにコンパレータ1から制御信号S1が与えられる。コンパレータ1は基準電位Vrefと分圧内部電源電位DCIとの比較結果に基づき制御信号S1を出力する。PMOSトランジスタQ1のドレインは抵抗R1の一端に接続され、抵抗R1の他端と接地レベルとの間に電流源2が設けられる。そして、抵抗R1の他端であるノードN1より得られる電圧が分圧内部電源電位DCIとしてコンパレータ1の正入力に与えられる。
Claim (excerpt)：
所定の負荷に内部電源電位を供給する内部電源電位供給回路であって、一端に外部電源電位を受け、制御信号に基づき、他端から内部電源電位を前記所定の負荷に付与する内部電源電位付与手段と、一端が前記内部電源電位付与手段の他端に接続される抵抗成分と、前記抵抗成分の他端と固定電位との間に所定の電流を供給する電流供給手段と、前記抵抗成分の他端より得られる分圧内部電源電位と基準電位とを受け、両者の比較結果に基づき、前記制御信号を出力する比較回路と、を備える内部電源電位供給回路。
IPC (6)：
G05F 1/56 310 ,  G05F 3/24 ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407 ,  G11C 16/06
FI (6)：
G05F 1/56 310 D ,  G05F 3/24 Z ,  G11C 5/14 ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 17/00 309 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
  • 特開昭62-248015
  • 特開昭57-085110
  • 特開昭57-024619
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Cited by examiner (10)
  • 定電圧回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-277722   Applicant：ミツミ電機株式会社
  • 特開昭62-248015
  • 特開平4-076713
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