MIS型半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001151536
Publication number (International publication number)：2002343965
Application date： May. 21, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路のトランジスタのゲート絶縁膜を、安定な高誘電率絶縁膜で構成した、リーク電流が小さくしかも駆動力の大きい、MIS型半導体装置を提供する。また、閾値電圧のバラツキの小さい、量産可能で安価な高誘電率ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム酸化物層と、ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層とを積層した積層ゲート絶縁膜を用いたMIS型半導体装置。ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層を、導電チャネル側に設置する。

Claim (excerpt)：

アルミニウム酸化物層と、ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層とを積層した積層ゲート絶縁膜を備えていることを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/316 C , H01L 21/316 M , H01L 21/316 Y , H01L 29/78 301 G

F-Term (28)：

5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BE10 , 5F058BF14 , 5F058BF62 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-066960 Applicant：株式会社東芝
半導体素子の誘電体膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-002631 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146330 Applicant：大見忠弘

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