半導体素子の誘電体膜及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002002631
Publication number (International publication number)：2002319583
Application date： Jan. 09, 2002
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の多層構造の誘電体膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層12及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜14を含む。高誘電体膜は少なくとも1回交互に積層された第1及び第2層18、20を含む。これによって、界面特性を改善すると共に、高誘電体膜の誘電率を最適化できる。又、各層が臨界厚さの上限値より薄い厚さを有する多層構造で誘電体膜を形成することによって、誘電体膜の結晶化温度を増加させると共に、漏洩電流を減少させることができる。これによって、素子の性能を改善できる。

Claim (excerpt)：

シリケート界面層と、前記シリケート界面層の上に位置する高誘電体膜を含むことを特徴とする半導体素子の多層構造体。

IPC (11)：

H01L 21/316 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/04 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7)：

H01L 21/316 M , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 301 G

F-Term (47)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BF13 , 5F058BF27 , 5F058BJ01 , 5F083AD60 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP53 , 5F083EP54 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083FR01 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BD20 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

高誘電率誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-287767 Applicant：富士通株式会社
特開平3-276753
特開昭61-127177

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