半導体レーザ装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001189921
Publication number (International publication number)：2003008146
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】水平拡がり角の光出力依存性を小さくすることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に形成された、活性層103と、第一導電型の(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>Pクラッド層104、105(0≦x≦1)と、第二導電型のAl<SB>v</SB>In<SB>1-v</SB>P電流ブロック層106とを有し、電流ブロック層のバンドギャップエネルギーが活性層のバンドギャップエネルギーより大きく、かつ電流ブロック層の屈折率がクラッド層の屈折率より小さく、かつ少なくともクラッド層の一部および電流ブロック層の一部が、0.42≦y≦0.58、0.42≦v≦0.58を満たし、かつ0<v-y≦0.06を満たす。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成された、活性層と、第一導電型の(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB></SB><SB></SB><SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>Pクラッド層(0≦x≦1)と、第二導電型のAl<SB>v</SB>In<SB>1-v</SB>P電流ブロック層とを有し、前記電流ブロック層のバンドギャップエネルギーが前記活性層のバンドギャップエネルギーより大きく、かつ前記電流ブロック層の屈折率が前記クラッド層の屈折率より小さく、かつ少なくとも前記クラッド層の一部および前記電流ブロック層の一部が、0.42≦y≦0.58、0.42≦v≦0.58を満たし、かつ0<v-y≦0.06を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (2)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

F-Term (16)：

5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AF04 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA64 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073EA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-149738 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-328338 Applicant：ローム株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-089855 Applicant：三洋電機株式会社

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