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J-GLOBAL ID：200903034322003606

半導体レーザ

Inventor：
福久 敏哉

About 福久 敏哉

, 
萬濃 正也

About 萬濃 正也

, 
吉川 昭男

About 吉川 昭男


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999055021
Publication number (International publication number)：2000252586
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 埋込再成長を行う際に結晶成長しない部分を生じにくくして半導体レーザの導波損失を小さくする。【解決手段】 n型GaAs基板1の上に、n型GaAsバッファ層2、n型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5、n型のAl0.5In0.5Pからなる第1電流ブロック層13、n型のAl0.5In0.5Pからなる第2電流ブロック層14を順次形成し、選択的に第1電流ブロック層13および第2電流ブロック層14をストライプ状にエッチングした上部に、p型埋込層7とコンタクト層8とキャップ層9とを順次形成する。キャップ層9の上にp電極10、n型GaAs基板1の裏面にn電極11をそれぞれ形成する。第1電流ブロック層13のキャリア濃度は1×1017cm-3以下であり、第2電流ブロック層14のキャリア濃度は1×1018cm-3である。
Claim (excerpt)：
n型の導電型を有する基板と、この基板の上に順次形成された、n型の導電型を有するn型クラッド層と、活性層と、p型の導電型を有するp型クラッド層と、一部がストライプ状に除去された電流ブロック構造とを有し、この電流ブロック構造は、前記p型クラッド層に最も近くかつn型の導電型を有する第1電流ブロック層と、この第1電流ブロック層の上に形成され、かつn型の導電型を有する第2電流ブロック層とを含む少なくとも2層の電流ブロック層を有し、前記第1電流ブロック層のキャリア濃度をN1(cm<SP>-3</SP>)、前記第2電流ブロック層のキャリア濃度をN2(cm<SP>-3</SP>)としたとき、N1<N2であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/223 ,  G11B 7/125
FI (2)：
H01S 3/18 664 ,  G11B 7/125 A
F-Term (13)：
5D119AA33 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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