二次凝集コロイダルシリカとその製造方法及びそれを用いた研磨剤組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001148974
Publication number (International publication number)：2002338232
Application date： May. 18, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体素子等の研磨剤として用いたときに高い研磨速度が得られるコロイダルシリカおよび、その低コストで製造する製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、単分散のコロイダルシリカにシリカ粒子の凝集剤を添加して球状の凝集二次粒子を作り、更に活性珪酸を添加して凝集粒子を一体化して得られる二次凝集コロイダルシリカおよびその製造方法である。本発明の二次凝集コロイダルシリカ粒子は、表面に凹凸があり、TEM透過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X1)と、シリカ粒子の表面積より算出した相当粒子径(X2)との比Y(X1/X2)が1.3から2.5の範囲で、かつその幾何学的平均粒子径が20〜200nmの範囲である。半導体素子等の電子材料の表面研磨加工時の研磨剤として優れた性質を有する。

Claim (excerpt)：

コロイダルシリカのシリカ粒子の電子線による透過投影像より求めた幾何学的平均粒子径(X1)と、シリカ粒子の表面積より算出した相当粒子径(X2)との比Y(X1/X2)が1.3から2.5の範囲であり、かつその幾何学的平均粒子径が20〜200nmの範囲であることを特徴とする二次凝集コロイダルシリカ。

IPC (4)：

C01B 33/14 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , H01L 21/304 622

FI (4)：

C01B 33/14 , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , H01L 21/304 622 B

F-Term (16)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058DA02 , 4G072AA28 , 4G072BB05 , 4G072BB07 , 4G072CC13 , 4G072DD06 , 4G072DD07 , 4G072EE01 , 4G072GG01 , 4G072MM40 , 4G072TT01 , 4G072TT06 , 4G072UU01 , 4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高純度シリカゾル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056673 Applicant：日本化学工業株式会社
半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-300324 Applicant：スピードファム株式会社
高純度シリカ水性ゾル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-356433 Applicant：日本化学工業株式会社

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