半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999300324
Publication number (International publication number)：2001118815
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【目的】シリコンウェーハあるいは化合物ウェーハ等よりなる半導体ウェーハのエッジ部分を効果的にかつ安定に研磨加工を行なう研磨用組成物を提供する。【構成】BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが8〜50nmであり、マイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bが12〜200nmの範囲にあり、かつ前記平均一次粒子径Aと平均二次粒子径Bの比B/Aが1.4から12の範囲にあって、更に溶液全体に対する酸化珪素粒子の濃度が2〜30重量%であるコロイド溶液であり、ことによって、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含むpH8〜11の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物である。

Claim (excerpt)：

BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径Aが8〜50nmであり、マイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径Bが12〜200nmの範囲にあり、かつ前記平均一次粒子径Aと平均二次粒子径Bの比B/Aが1.4から12の範囲にあって、更に溶液全体に対する濃度が2〜30重量%である酸化珪素粒子のコロイド溶液であり、かつ、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含むことによって、pH8〜11の間で緩衝作用を有することを特徴とする半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物。

IPC (6)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 9/00 601 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (6)：

H01L 21/304 622 P , H01L 21/304 621 E , B24B 9/00 601 H , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

F-Term (12)：

3C049AA07 , 3C049AA09 , 3C049CA05 , 3C049CB01 , 3C058AA06 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AC04 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

研磨剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-288633 Applicant：株式会社トクヤマ
半導体シリコン基板の面取り部研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-247235 Applicant：コマツ電子金属株式会社
研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-325614 Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド

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