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J-GLOBAL ID：200903078678555465
半導体レーザダイオード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000353178
Publication number (International publication number)：2002158403
Application date： Nov. 20, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 光出力の高い半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 半導体レーザダイオード(LD)1は、n型GaAs基板2上に、n型クラッド層3、光ガイド層4、活性層5、光ガイド層6、p型クラッド層7、及びコンタクト層8が順次形成され構成されている。活性層5は、n型GaAs基板2と格子整合するInGaAsPより成り、また、p型クラッド層7は、n型GaAs基板2と格子整合するAlGaInPより成る。このp型クラッド層7の正孔濃度Cと正孔の活性化率Dとの間に0.75×D≦C≦Dの関係があり、且つ、1.5×1017cm-3≦C≦9.5×1017cm-3の関係があるため、半導体LD1は高い光出力を示す。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、n型不純物原子が添加されたn型クラッド層と、活性層と、p型不純物原子が添加されたp型クラッド層とが少なくとも形成されてなる半導体レーザダイオードであって、前記p型クラッド層における正孔の濃度をC(cm-3)とし、前記p型クラッド層における前記p型不純物原子の濃度をD(cm-3)としたときに、0.75×D≦C≦D ...(1)1.5×1017cm-3≦C≦9.5×1017cm-3 ...(2)で表される式(1)と式(2)とを同時に満たすことを特徴とする半導体レーザダイオード。
F-Term (8)：
5F073AA46
, 5F073BA09
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073EA15
, 5F073EA24
Cited by examiner (5)
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半導体レ-ザ装置及び結晶成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-294169
Applicant：三洋電機株式会社
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半導体レーザ発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-176633
Applicant：松下電器産業株式会社
-
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-189241
Applicant：株式会社日立製作所
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