透明導電性薄膜製造用酸化物焼結体ターゲット、透明導電性薄膜、透明導電性基板、表示デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鴨田哲彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004080686
Publication number (International publication number)：2005268113
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】表面平滑性に優れ、比抵抗が低く、かつ、200°C未満の加熱によっても非晶質性と表面平滑性および比抵抗の性質が変化せず、内部応力が低い透明導電性薄膜を提供する。【解決手段】酸化インジウムを主成分として、タングステン元素がW/In原子数比で0.004〜0.023の割合で含有され、亜鉛元素がZn/In原子数比で0.004〜0.100の割合で含有され、非晶質構造である。比抵抗が9.0×10-4Ωcm以下、好ましくは6.0×10-4Ωcm以下であるとよい。また、結晶化温度が200°C以上、膜表面の算術平均高さ(Ra)が2.0nm以下、内部応力の絶対値が1×1010dyn/cm2 以下であることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化インジウムを主成分として、タングステン元素がW/In原子数比で0.004〜0.023の割合で含有され、亜鉛元素がZn/In原子数比で0.004〜0.100の割合で含有され、かつ、非晶質構造であることを特徴とする透明導電性薄膜。

IPC (5)：

H01B1/08 , C23C14/34 , H01B5/14 , H05B33/14 , H05B33/28

FI (5)：

H01B1/08 , C23C14/34 A , H01B5/14 A , H05B33/14 A , H05B33/28

F-Term (25)：

3K007AB02 , 3K007AB05 , 3K007AB08 , 3K007AB11 , 3K007AB14 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029BA45 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 5G301CA02 , 5G301CA15 , 5G301CA27 , 5G301CA30 , 5G301CD03 , 5G307FA00 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319567 Applicant：出光興産株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-214458 Applicant：ソニー株式会社
導電性透明基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-132030 Applicant：出光興産株式会社

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Cited by examiner (1)

透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-330058 Applicant：住友金属鉱山株式会社

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