Pat
J-GLOBAL ID:200903078869474589
ワードラインの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川崎 隆夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997011965
Publication number (International publication number):1998107034
Application date: Jan. 07, 1997
Publication date: Apr. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ワードラインのパターン化を容易に行えるワードラインの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に多数の列のゲートを形成する。金属珪化物層をゲートの上方に形成した後、シリコン富有層を形成する。シリコン富有層は高シリコン濃度を持つ他の金属珪化物層かまたは純粋なシリコン層である。
Claim (excerpt):
ワードラインの製造方法において、基板を用意し、基板上にゲートを形成し、ゲート上に第1金属珪化物層を形成し、第1金属珪化物層より高い濃度のシリコンを持つ第2金属珪化物層を第1金属珪化物層上に形成する、ことを特徴とする製造方法。
IPC (6):
H01L 21/3205
, H01L 21/285 301
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (5):
H01L 21/88 P
, H01L 21/285 301 T
, H01L 27/10 671 A
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
特開平4-061169
-
特開昭64-039064
-
特開昭64-039773
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-306368
Applicant:新日本製鐵株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-303670
Applicant:川崎製鉄株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-021237
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-128066
Applicant:三菱電機株式会社
Show all
Return to Previous Page