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J-GLOBAL ID：200903078941772450

電気光学的特性が改善された半導体光放出装置及びその製造方法

Inventor：
張 東勲

About 張 東勲


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001358442
Publication number (International publication number)：2002223034
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 活性領域の平面に対して垂直方向に光を放出させるための共振空洞構造を有する半導体光放出装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 共振された光が放出される上部電極のウィンドウ及び酸化層の電流アパーチャを有するポストにおいて、これらの軸が自動で一致するように電極を自己整列でエッチングしてポストを形成する。エッチング時にポスト内に積層された予備酸化層の側壁が露出され、酸化工程により予備酸化層の側壁から水平に所定寸法だけ酸化が進行する。酸化された酸化層は高抵抗部となり、酸化されていない部分は電流または光が通過する電流アパーチャとなる。ポストは電極により自己整列にて形成され、電極のウィンドウと電流アパーチャの軸整列は自動で行われ、電極ウィンドウと電流アパーチャの正確な軸整列によりVCSELの電気光学的特性が向上される。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも1つ以上の予備酸化層を含む複数層よりなるポストと、このポストの上部に電極を有する半導体光放出装置において、前記電極を自己整列にてエッチングして前記ポストを形成する段階と、エッチングされた前記ポストの側壁から所定寸法だけ前記予備酸化層を水平に酸化させる段階とを含んで製造されたことを特徴とする半導体光放出装置。
F-Term (21)：
5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073AA86 ,  5F073AA89 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA20 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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