垂直共振器型面発光半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306804
Publication number (International publication number)：2002009393
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】低抵抗でかつ高出力が得られ、経時での出力低下のないレーザ光を安定に発現しうる、信頼性の高い垂直共振器型の面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に、第一の半導体多層膜反射鏡と活性層と第二の半導体多層膜反射鏡とレーザ光出射用開口部を有するコンタクト電極とを備えて構成され、前記開口部がコンタクト電極形成後の製造上の損傷を防ぐための保護膜で覆われている、又は第二の半導体多層膜反射鏡上に保護膜を有し、コンタクト電極が保護膜の表面に重なるように設けられ、かつ該保護層上に前記開口部が形成されることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置である。保護膜の厚み方向からみて該保護膜の下層に位置し、第二の半導体多層膜反射鏡とコンタクト電極との間に、導電型のコンタクト層を備える態様が好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、第一の導電型の半導体多層膜反射鏡と、活性層と、第二の導電型の半導体多層膜反射鏡と、レーザ光を出射する開口部を有するコンタクト電極とをこの順に備える垂直共振器型面発光半導体レーザ装置において、前記開口部が、前記コンタクト電極形成後の製造上の損傷を防ぐための保護膜で覆われていることを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/183 , H01S 5/028

FI (2)：

H01S 5/183 , H01S 5/028

F-Term (12)：

5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073BA09 , 5F073CA05 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA24 , 5F073DA30 , 5F073EA15 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

不動態化垂直空洞面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-202435 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
量子半導体装置および量子半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-066899 Applicant：富士通株式会社
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-284790 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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