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J-GLOBAL ID：200903078992034682

微細パターニング方法

Inventor：
芦田 極

About 芦田 極

, 
森田 昇

About 森田 昇


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000251338
Publication number (International publication number)：2002064080
Application date： Aug. 22, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体製造等の技術分野において、単結晶シリコンを所定形状にエッチングを行うとき、複雑なマスク処理を行う必要があり、多くの時間と手数を要するほか、パターンを変更することが困難であった。【解決手段】 図1に示すような摩擦力顕微鏡の機構を用い、単結晶シリコン材料3に対して端部にダイヤモンド砥粒5を備えたレバー10を有するカンチレバー4を強く当接させる。レバー先端で反射されたレーザーを4分割フォトディテクタ6で検出することによりレバーの動きを検出する。この信号によりフィードバック制御装置8はチューブPZTスキャナをX-Y-Z方向に移動することにより所定形状の微細機械加工を施す。このようにして形成された材料に対してKOH水溶液でエッチングを行うと、このエッチング溶液の濃度が薄いときには微細機械加工を行った部分が凸部となり、濃いときは凹部となる。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細パターニング方法において、エッチング溶液の濃度を任意に選択することにより、前記微細機械加工部分をマスキング効果とエッチング促進効果のいずれかを任意に選択して微細パターンニングを行うことを特徴とする微細パターンニング方法。
IPC (5)：
H01L 21/306 ,  B82B 3/00 ,  C23F 1/40 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/08
FI (5)：
B82B 3/00 ,  C23F 1/40 ,  C30B 29/06 C ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/306 B
F-Term (19)：
4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077FG06 ,  4G077FG11 ,  4K057WA10 ,  4K057WA13 ,  4K057WB06 ,  4K057WB12 ,  4K057WB17 ,  4K057WC03 ,  4K057WE21 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  4K057WN06 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD02 ,  5F043DD10 ,  5F043EE23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)

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