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J-GLOBAL ID:200903079051475640
トランジスタ及びこれの製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005236925
Publication number (International publication number):2006060222
Application date: Aug. 17, 2005
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 超高集積度で、改善された構造の不純物領域を有する半導体装置のトランジスタを製造する方法を提供することである。【解決手段】 本発明のトランジスタは、{100}面である第1表面、第1表面より低い高さを有する{100}面である第2表面、及び第1表面と第2表面との間を連結する{111}面である第3表面を有する半導体基板を含む。第1不純物領域が半導体基板の第2表面の下部に形成される。ゲート構造物が半導体基板の第1表面上に形成される。エピタキシャル層が半導体基板の第2表面及び第3表面上に形成される。第2不純物領域がゲート構造物の両側に形成される。【選択図】 図28
Claim (excerpt):
{100}面である第1表面、前記第1表面より低い高さを有する{100}面である第2表面、及び前記第1表面と第2表面との間を連結する{111}面である第3表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第2表面下部に形成された第1高濃度不純物領域と、
前記半導体基板の第1表面上に形成されたゲート構造物と、
前記半導体基板の第2表面及び第3表面上に形成されたエピタキシャル層と、
前記ゲート構造物の両側に形成された第2高濃度不純物領域と、を含むことを特徴とするトランジスタ。
IPC (2):
FI (2):
H01L29/78 301S
, H01L29/78 301L
F-Term (36):
5F140AA06
, 5F140AA18
, 5F140AA21
, 5F140AA24
, 5F140BA01
, 5F140BA05
, 5F140BA20
, 5F140BD04
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BF01
, 5F140BF05
, 5F140BF07
, 5F140BF11
, 5F140BF14
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG22
, 5F140BG29
, 5F140BG37
, 5F140BG53
, 5F140BH06
, 5F140BH07
, 5F140BH14
, 5F140BH15
, 5F140BH21
, 5F140BH27
, 5F140BH34
, 5F140BH35
, 5F140BK09
, 5F140BK10
, 5F140BK13
, 5F140BK18
, 5F140BK21
, 5F140BK22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (13)
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大韓民国特許第10-0406537号 (米国特許第6、599、803号明細書)
-
米国特許第6、605、498号明細書
-
大韓民国特許出願公開第2003-82820号
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特開昭63-153863
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-343975
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体集積回路装置の製造方法、半導体集積回路装置、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-217212
Applicant:株式会社東芝
-
MOS型電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-034263
Applicant:東北大学長
-
特開昭60-193379
-
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-000062
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-084501
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置とその製造方法、及び半導体装置の評価方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-187053
Applicant:富士通株式会社
-
MOSトランジスタの製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-515127
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特開平4-229653
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Cited by examiner (9)
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特開昭63-153863
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特開昭63-153863
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-343975
Applicant:日本電気株式会社
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