半導体加速度センサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002040039
Publication number (International publication number)：2003240797
Application date： Feb. 18, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】センサ感度を低下させることなく、良好なシールド効果が得られ、可動電極とシールド電極との間に電位差がなく、可動電極の固着を確実に防止した半導体加速度センサを提供する。【解決手段】ダイパッド2上に信号処理用IC5と接続されたセンサチップを備え、前記センサチップの半導体基板9上に、固定電極と可動電極を配設し、固定電極と可動電極を保護キャップ4で覆い、半導体基板の上面部にシールド電極層を埋設し、これらを封止樹脂で封止した半導体加速度センサにおいて、可動電極の電位を、信号処理用ICの容量/電圧変換回路51の出力電位から得ることができ、シールド電極層と保護キャップの少なくともいずれか一方が可動電極と電気的に接続して同電位とする。

Claim (excerpt)：

ダイパッド上に信号処理用ICと接続されたセンサチップを備え、前記センサチップの半導体基板板上に、固定電極と可動電極を配設し、前記固定電極と可動電極を保護キャップで覆い、前記半導体基板の上面部にシールド層を配設し、封止樹脂で封止した半導体加速度センサにおいて、前記シールド層と前記保護キャップの少なくともいずれか一方が前記可動電極と電気的に接続されて同電位としたことを特徴とする半導体加速度センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

モノシリック加速度計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-263209 Applicant：アナログ・ディバイセス・インコーポレーテッド
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-306276 Applicant：三菱電機株式会社
光受信装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-035677 Applicant：松下電器産業株式会社

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