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J-GLOBAL ID：200903023093528536

半導体力学量センサとその製造方法

Inventor：
山本 敏雅

About 山本 敏雅

, 
竹内 幸裕

About 竹内 幸裕

, 
加藤 信之

About 加藤 信之


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295500
Publication number (International publication number)：2001119040
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 キャップで梁構造の可動部を保護するにあたって、キャップ内の密閉性を容易に確保できるような半導体力学量センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板17の上面に、可動部としての梁構造体2と固定電極9a〜9c等とよりなるセンサエレメント部を備え、センサエレメント部と基板17との間に、絶縁分離された導電性薄膜19を埋め込み、この導電性薄膜19により形成された配線パターン及び下部電極22〜25を、センサエレメント部と略同一平面に配置した電極取出部27a〜27dに対し電気的に接続するとともに、基板17上における該電極取出部とセンサエレメント部との間に、センサエレメント部を囲むように段差を持たない平坦部30を形成し、この平坦部30に対し、一面側に凹部202を有するキャップ基板200の一面側を接合し、センサエレメント部を凹部202にて被覆保護する。
Claim (excerpt)：
第1の基板(17)と、単結晶半導体材料よりなり、前記第1の基板の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、力学量により変位する作用力を受ける梁構造体(2)と、前記第1の基板の上面に固定され、前記梁構造体の少なくとも一部に対向して配置された固定電極(9a〜9c、11a〜11c、13a〜13c、15a〜15c)とを備え、前記第1の基板の上面部に、下層側絶縁薄膜(18a、18b)と導電性薄膜(19)と上層側絶縁体薄膜(20)との積層体(21)を配置し、前記導電性薄膜により配線(22、23、25)または電極(24)を形成し、当該配線または電極を、前記上層側絶縁体薄膜に形成した開口部を通して前記第1の基板の上に配置した電気接続部材(27a〜27d)に対し電気的に接続した半導体力学量センサにおいて、前記梁構造体と前記固定電極とにより検出部としてのセンサエレメント部が構成されており、前記第1の基板上における前記電気接続部材と前記センサエレメント部との間には、前記センサエレメント部を囲むように、段差を持たない平坦面を有する平坦部(30)が形成されており、この平坦部に対して、一面側に凹部(202)を有する第2の基板(200)の前記一面側が接合用膜(201)を介して接合されており、前記センサエレメント部は前記第2の基板の前記凹部にて被覆され保護されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/125
FI (2)：
H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125
F-Term (12)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA34 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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