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J-GLOBAL ID：200903079318642479

ドライエッチング方法

Inventor：
原島 啓一

About 原島 啓一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996074103
Publication number (International publication number)：1997266198
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】シリコン酸化膜に対してBPSG膜を選択的にエッチングする。【解決手段】炭素,フッ素もしくはこれに水素を含んだ化合物気体(CF4 ,C2 F6 ,C3 F8 ,CHF3 )とCH2 F2 との混合気体を用い、ドライエッチングを行なうことによりシリコン酸化膜に対してBPSG膜を選択的かつ異方的にエッチングする。
Claim (excerpt)：
シリコン酸化膜に対してBPSG膜もしくはPSG膜を選択的かつ異方的にドライエッチングする方法であって、エッチングガスとして炭素,フッ素もしくはこれに水素を含む化合物ガスを用い、添加ガスとしてCH2 F2 を用いることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-025912   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167868   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • ドライエツチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-284643   Applicant：松下電器産業株式会社
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