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J-GLOBAL ID：200903079432060471

窒化物半導体発光素子

Inventor： 小崎 徳也 ,  山田 元量 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999308964
Publication number (International publication number)：2001168471
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。【解決手段】 量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいAldGa1-dN(0.30≦d≦1)からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する多重量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層の井戸層と障壁層の間に、前記障壁層よりバンドギャップエネルギーが大きい少なくとも1つの中間層を有し、かつ該中間層が前記井戸層の上に成長されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化ガリウム系半導体光発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213412   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-029946   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-302069   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-203055   Applicant：ソニー株式会社