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J-GLOBAL ID：200903079617327873

エピタキシャルウエーハの製造方法及びエピタキシャルウエーハ、並びにエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハ

Inventor： 飯田 誠 ,  木村 雅規
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048461
Publication number (International publication number)：2001237247
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 簡易な方法により結晶性に優れ、IG能力の高いエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】 炭素がドープされたCZシリコンウエーハに1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。及び、炭素がドープされたCZシリコンウエーハである基板と、1000°C未満の温度で成長されたエピタキシャル層からなるエピタキシャルウエーハ。並びに、1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うためのエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハであって、該CZシリコンウエーハは炭素がドープされたものであるエピタキシャル成長用CZシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

炭素がドープされたCZシリコンウエーハに1000°C未満の温度でエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205

F-Term (8)：

5F045AB02 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF17 ,  5F045BB12 ,  5F045DA59

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-227026
  
• エピタキシャルウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-209712   Applicant：信越半導体株式会社
• シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-017794   Applicant：住友金属工業株式会社
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-080222   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハおよびその製造方法ならびに半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-007006   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-015749   Applicant：株式会社日立製作所