3次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山田行一 , 野田雅一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006541498
Publication number (International publication number)：2007523468
Application date： Dec. 01, 2004
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

本発明は、3D構造の対称パターン及び非対称パターンを含む3D構造及び3D構造のパターンを基板表面上に形成するための方法及び装置を提供する。本発明の方法は、数十ナノメートル〜数千ナノメートルの範囲の横寸法及び縦寸法を含む正確に選択された物理的寸法を有する3D構造を形成するための手段を与える。一態様においては、フォトプロセスを受ける放射線感応材料とのコンフォーマル接触を確立できる適合可能なエラストマー位相マスクを備えるマスク要素を使用する方法が提供される。他の態様においては、形成される構造の厚さ全体にわたって延在しないナノスケール形態を有する複雑な構造を形成するために、フォトプロセスのために使用する電磁放射線の時間及び/又は空間コヒーレンスが選択される。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

3D構造を形成するための方法であって、実質的にコヒーレントな電磁放射線ビームを供給するステップと、前記実質的にコヒーレントな電磁放射線ビームを、放射線感応材料との直接的な光通信で、マスク要素へと方向付け、前記マスク要素が複数の電磁放射線ビームを形成することにより、前記放射線感応材料内に光学干渉パターンが形成され、前記電磁放射線と前記放射線感応材料との相互作用が、前記放射線感応材料の化学的に改質された領域を形成するステップと、前記放射線感応材料の前記化学的に改質された領域の少なくとも一部を除去し、或いは、化学的に改質されていない前記放射線感応材料の少なくとも一部を除去することにより、前記3D構造を形成するステップと、を備える方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 7/004 , B81C 5/00 , B29C 67/00

FI (4)：

H01L21/30 515D , G03F7/004 511 , B81C5/00 , B29C67/00

F-Term (20)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB14 , 2H025AB20 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 4F213AA44 , 4F213AH73 , 4F213WA25 , 4F213WB01 , 4F213WL08 , 4F213WL11 , 4F213WL43 , 4F213WL55 , 5F046AA28 , 5F046BA07 , 5F046BA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

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