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J-GLOBAL ID：200903080012774230

固体撮像素子

Inventor：
神戸 秀夫

About 神戸 秀夫


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430505
Publication number (International publication number)：2005191262
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 暗電流や白傷の発生を抑制し、画質が良好な画像が得られると共に、受光センサ部の取り扱い電荷量を充分に確保することを可能にする固体撮像素子を提供する。【解決手段】 受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域13の表面に第2導電型の半導体領域14が形成され、半導体基板11に形成された溝内に絶縁層から成る素子分離層20が埋め込まれて形成され、素子分離層20が、上部の幅の広い部分21と下部の幅の狭い部分22とから成り、素子分離層20の幅の狭い部分22の周囲に、第2導電型の半導体領域23が形成されている固体撮像素子10を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域の表面に、第2導電型の半導体領域が形成され、 半導体基板に形成された溝内に、絶縁層から成る素子分離層が埋め込まれて形成され、 前記素子分離層が、上部の幅の広い部分と、下部の幅の狭い部分とから成り、 前記素子分離層の前記幅の狭い部分の周囲に、第2導電型の半導体領域が形成されている ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
F-Term (12)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C024GY31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
  • MOS型固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-342290   Applicant：株式会社東芝
  • 固体撮像素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-238680   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平3-273678
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