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J-GLOBAL ID：200903080460437295

窒化物半導体基板、及びその成長方法

Inventor：
森田 大介

About 森田 大介


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001117910
Publication number (International publication number)：2002313739
Application date： Apr. 17, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】基板上に窒化物半導体を厚膜成長が可能であり、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、窒化物半導体内に成長界面を少なくとも2つ有することにより基板と窒化物半導体との応力差を緩和させる。
Claim (excerpt)：
基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板であって、基板上の窒化物半導体にクレーター、又は凸型の斜面を有する成長界面を少なくとも2つ備えた窒化物半導体基板。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (6)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/46 G
F-Term (56)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104EE06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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