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J-GLOBAL ID：200903038032056345

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Inventor：
蝶々 一幸

About 蝶々 一幸

, 
小崎 徳也

About 小崎 徳也

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999037827
Publication number (International publication number)：2000244061
Application date： Feb. 16, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に、得られた結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1上に、第1の窒化物半導体2を成長させ、この第1の窒化物半導体2に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させた後、凹凸を有する第1の窒化物半導体2上に第2の窒化物半導体3を成長させる。また、得られた第2の窒化物半導体3を基板としこの上に素子構造として少なくともn型窒化物半導体、活性層、p型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記第1の窒化物半導体に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、第2の工程後、前記凹凸を有する第1の窒化物半導体上に、第2の窒化物半導体を成長させる第3の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (5)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (5)：
H01S 3/18 664 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (56)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F103AA05 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK02 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP08 ,  5F103PP18 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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