被加工基板の湿式エッチング方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003063242
Publication number (International publication number)：2004268206
Application date： Mar. 10, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】フォトリソグラフィ技術を用いることなく、微細な立体像を形成することができるようにする。【解決手段】第1ステップS1では、単結晶シリコン基板等の被加工基板上に選択的にFIBを照射する。その際に、形成すべき凸部の高さに応じてFIBのドーズ量、ドットピッチ、加速電圧を調整する。このFIB照射によりFIB照射部にはエッチング液に対するマスキング効果が発現される。第2ステップS2では、バッファードフッ酸(BHF)で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。第3ステップS3において、流水洗浄を行った後、第4ステップS4において、純水、アセトンを用いた超音波洗浄を行う。第5ステップS5では、KOH水溶液に浸漬して被加工基板のFIB照射面をエッチングする。その後、確認のために、第6ステップS6において、AFMにより段差を観測する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

照射条件の異なる集束イオンビームを被加工基板上に照射し、湿式エッチングを行って被加工基板上に集束イオンビーム照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成することを特徴とする被加工基板の湿式エッチング方法。

IPC (2)：

B81C1/00 , H01L21/306

FI (2)：

B81C1/00 , H01L21/306 T

F-Term (5)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD02 , 5F043DD17 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

静電型マイクロリレーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-169149 Applicant：株式会社島津製作所
シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-188781 Applicant：学校法人早稲田大学, 日本学術振興会
特開平4-355909

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Cited by examiner (6)

特開平4-355909
静電型マイクロリレーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-169149 Applicant：株式会社島津製作所
特開平4-190984

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