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J-GLOBAL ID：200903080583224113

エネルギビーム加工方法,透明導電膜付きガラス基板及び半導体装置

Inventor：
佐山 勝信

About 佐山 勝信

, 
佐々木 学

About 佐々木 学


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000207466
Publication number (International publication number)：2002026350
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 透明導電膜にエネルギビーム照射による加工処理を施しても強化ガラス板の強度が損なわれないエネルギビーム加工方法を提供する。【解決手段】 強化ガラス板1の表面に絶縁膜としてのSiO2 膜2(厚さ:1000Å)を形成する(a)。このSiO2 膜2の表面に、透明導電膜としてのZnO膜3(厚さ:8000Å)を形成して、透明導電膜付きガラス基板10を得る(b)。エネルギビームとしてのレーザ光を透明導電膜付きガラス基板10に照射して、ZnO膜3の所望の複数の領域をパターンエッチングする(c)。レーザ光の照射時に発生した熱の伝わりがSiO2 膜2にて抑制され、強化ガラス板1はガラス溶融点に近い温度にまで達せず、強化処理の効果を持続して、十分な強度を維持する。
Claim (excerpt)：
強化処理が施されたガラス板に、該ガラス板の軟化点以下の温度で絶縁膜を形成する工程と、形成した絶縁膜に、前記ガラス板の軟化点以下の温度で透明導電膜を形成して透明導電膜付きガラス基板を得る工程と、得た透明導電膜付きガラス基板にエネルギビームを照射して前記透明導電膜を加工する工程とを有することを特徴とするエネルギビーム加工方法。
IPC (5)：
H01L 31/04 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/302 ,  H01S 3/00
FI (5)：
H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H01S 3/00 B ,  H01L 31/04 M ,  H01L 21/302 Z
F-Term (23)：
5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BB18 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F051AA05 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F072AB02 ,  5F072MM20 ,  5F072RR01 ,  5F072YY06 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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