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J-GLOBAL ID：200903080914969181
成膜方法及び成膜装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317865
Publication number (International publication number)：1999150111
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程中における成膜前処理の制御性を確保し、素子特性の安定した半導体装置を得る。【解決手段】 所定の雰囲気中に配置されたウェハの表面に紫外線を照射して前処理(S6)を行い、次にウェハを大気に晒すことなくこの前処理に続けてその表面に成膜処理(S7)を行う。上記前処理は、酸化性ガス雰囲気中における酸化処理、水素ガス雰囲気中における還元処理、酸化性ガス雰囲気中における有機結合基の分解処理であることとする。
Claim (excerpt)：
所定の雰囲気中に配置されたウェハの表面に紫外線を照射して前処理を行い、前記ウェハを大気に晒すことなく前記前処理に続けてその表面に成膜処理を行うこと、を特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
