磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000119589
Publication number (International publication number)：2001196661
Application date： Apr. 20, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】磁界を用いることなく磁化を容易に制御する。【解決手段】磁性体を含む領域11と直接または間接的に接するようにポテンシャル障壁領域12を配置する。磁性体を含む領域11は例えば2層の強磁性体層11a、11bが非磁性の中間層11cによって分離された積層構造を有する。ポテンシャル障壁領域12は例えば金属層12aおよび半導体層12bからなり、それらの間にショットキー障壁が形成される。電界印加によるポテンシャル障壁領域12のポテンシャル障壁の変調によって、磁性体を含む領域11の磁化を制御する。磁性体を含む領域11の磁化の少なくとも一つを用いて情報記憶を行う。

Claim (excerpt)：

磁性体を含む領域と直接または間接的に接するようにポテンシャル障壁領域を配置し、このポテンシャル障壁領域のポテンシャル障壁の変調によって、上記磁性体を含む領域の磁化を制御するようにしたことを特徴とする磁化制御方法。

IPC (5)：

H01L 43/08 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/08 , H01L 27/10 451

FI (5)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/08 , H01L 27/10 451

F-Term (14)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049CB01 , 5E049DB02 , 5E049DB04 , 5E049DB06 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083HA10 , 5F083JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120249 Applicant：三洋電機株式会社
磁性体の磁化方向を部分的に変える方法及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-521695 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
磁気素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-216984 Applicant：株式会社東芝

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