半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176033
Publication number (International publication number)：1997027639
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】アモルファス状態のバッファ層等を通して水分が浸入するのを防止でき、長期信頼性のある発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードにおいて、サファイア基板100上にInAlGaN系材料からなる、バッファ層101,n型コンタクト層102,n型クラッド層103,活性層104,p型クラッド層105,p型コンタクト層106が順に成長形成され、p型コンタクト層106上にp型電極107が形成され、n型コンタクト層102上にn型電極108が形成され、p型電極107とn型電極108の一部を除く全体に絶縁膜109が形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にバッファ層を介して半導体層が積層形成された半導体装置であって、少なくとも前記バッファ層の端面に保護膜を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236483 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064066 Applicant：三洋電機株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201306 Applicant：豊田合成株式会社

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