電界効果半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007080094
Publication number (International publication number)：2008244002
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】高い耐圧及び低いオン抵抗のHEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うHEMTは、電子走行層4と、この上を覆う電子供給層5と、電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8と、ゲートフィールドプレート12と、ソースフィールドプレート13と、第1及び第2の絶縁膜9,10とを有している。ゲートフィールドプレート12のドレイン電極側端部とドレイン電極8との間の距離LGFDに対するゲートフィールドプレートの長さLGFの比LGF/LGFDが1〜70%に設定されている。ゲートフィールドプレート12のドレイン電極側端部とドレイン電極8との間の距離LGFDに対するソースフィールドプレート13のドレイン電極側端部とゲートフィールドプレート12のドレイン電極側端部との間の距離LSFの比(LSF/LGFD)が1〜60%の範囲に設定されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの半導体層を含んでいる主半導体領域と、前記主半導体領域の一方の主面上に配置されソース電極と、前記主半導体領域の一方の主面上に前記ソース電極から離間して配置されたドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の電流通路を制御するために前記主半導体領域の一方の主面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極を含んでいるゲート手段と、前記主半導体領域の一方の主面上における少なくとも前記ゲート手段と前記ドレイン電極との間に配置された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜における前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の一部上に配置され且つ前記ゲート電極に電気的に接続されているゲートフィールドプレートと、少なくとも前記ゲートフィールドプレートの上に配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜によって前記ゲートフィールドプレートと電気的に絶縁され、且つ少なくとも前記第1の絶縁膜を介して前記主半導体領域の一方の主面に対向配置され且つ前記ゲートフィールドプレートの前記ドレイン電極側端部よりも前記ドレイン電極に近いドレイン電極側端部を有し、且つ前記ソース電極に電気的に接続されているソースフィールドプレートとを備えた電界効果半導体装置であって、前記ゲートフィールドプレートの前記ドレイン電極側端部と前記ドレイン電極との間の距離(LGFD)に対する前記ゲートフィールドプレートの長さ(LGF)の割合(LGF/LGFD)が1〜70%に設定され、前記ゲートフィールドプレートの前記ドレイン電極側端部と前記ドレイン電極との間の距離(LGFD)に対する前記ソースフィールドプレートの前記ドレイン電極側端部と前記ゲートフィールドプレートの前記ドレイン電極側端部との間の距離(LSF)の割合(LSF/LGFD)が1〜60%の範囲に設定されていることを特徴とする電界効果半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2)：

H01L29/80 B , H01L29/80 H

F-Term (29)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-364405 Applicant：日本電気株式会社
電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-327654 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-327654 Applicant：株式会社東芝
GaN系電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-334718 Applicant：古河電気工業株式会社
化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-122053 Applicant：シャープ株式会社

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