プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002367527
Publication number (International publication number)：2004200429
Application date： Dec. 19, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理室1と、プラズマ処理室に処理ガスを供給する手段と、プラズマ処理室を減圧する真空排気手段と、ウエハ等の被処理体6を載置する電極3と、電磁波放射電源4A、4Bと、電磁波放射アンテナ2と、処理室内に略鉛直方向の磁場を形成する複数の磁場コイル9A,9Bと、ヨーク10A、10Bとを有する有磁場電磁波放射放電方式のプラズマ処理装置において、ヨーク10A、10Bを磁場コイル9A,9B毎に分離して設け、さらにヨーク間に非磁性体11を設けて局所的な磁場分布を独立に制御できるようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラズマ処理室と、プラズマ処理室に処理ガスを供給する手段と、プラズマ処理室を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、電磁波放射電源と、電磁波放射アンテナと、プラズマ処理室内に略鉛直方向の磁場を形成する複数の磁場コイルと、ヨークとを有する有磁場電磁波放射放電方式のプラズマ処理装置において、ヨークを磁場コイル毎に分離し、その間に非磁性体の材料を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L21/3065 , C23C16/44

FI (2)：

H01L21/302 101D , C23C16/44 B

F-Term (10)：

4K030HA08 , 4K030KA34 , 5F004AA01 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB32 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

プラズマ処理装置およびその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078934 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-064989 Applicant：日本電信電話株式会社, 国際電気株式会社
半導体装置の製造方法、及びそれに用いるプラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-227552 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (2)

プラズマ処理装置およびその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078934 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマエッチング装置
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