Pat
J-GLOBAL ID:200903082989021623

巨大磁気抵抗効果素子センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997053717
Publication number (International publication number):1998256620
Application date: Mar. 07, 1997
Publication date: Sep. 25, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、低外部磁界で高抵抗変化を示す巨大磁気抵抗効果素子を用いて磁気センサを構成し、抵抗変化分が磁化と電流のなす角度に依存しないスピンバルブ素子などであっても差動型やブリッジ型のセンサを組むことができるとともに、高感度なものを得ることができる巨大磁気抵抗効果素子センサを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層32、38と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層34、40とを具備する磁気抵抗効果多層膜35、41を少なくとも複数並列させて配置し、それぞれのピン止め強磁性層の磁化の向きをほぼ正反対向きとしてなることを特徴とする。
Claim (excerpt):
磁化反転がピン止めされた少なくとも一層のピン止め強磁性層と、磁化が外部の磁界に対して自在に反転する少なくとも一層のフリー強磁性層とを具備する磁気抵抗効果多層膜を少なくとも複数並列させて配置し、それぞれのピン止め強磁性層の磁化の向きをほぼ正反対向きとしてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子センサ。
IPC (3):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/08
FI (3):
H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page