圧力センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山田卓二 , 田中光雄 , 中野晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007024956
Publication number (International publication number)：2008190970
Application date： Feb. 05, 2007
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

【課題】センサ素子を小型化しつつ圧力起歪部の機械的強度を向上させた圧力センサを提供する。【解決手段】圧力センサが、単結晶シリコン基板と、単結晶シリコン基板を底面からエッチングして形成された凹部と、凹部の底面に露出した圧力起歪部と、圧力起歪部の上方の活性層に設けられた歪ゲージと、活性層上に、絶縁膜を挟んで形成された導電層とを含み、圧力起歪部に与えられた圧力を歪ゲージの抵抗変化として検出する。活性層の<110>方向に沿った、圧力起歪部の回転中心からの線上にある、圧力起歪部の縁部から絶縁膜までの距離Sと絶縁膜の段差D、または圧力起歪部の縁部から導電膜の縁部までの距離Sと導電膜の段差Dが、S/D≧80の関係を満たす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板と、該シリコン基板を底面からエッチングして形成された凹部と、該凹部の底面に露出した圧力起歪部と、該圧力起歪部の上方の活性層に設けられた歪ゲージと、該活性層上に、絶縁膜を挟んで形成された導電層とを含み、該圧力起歪部に与えられた圧力を該歪ゲージの抵抗変化として検出する圧力センサであって、該活性層の<110>方向に沿った、該圧力起歪部の回転中心からの線上にある、該圧力起歪部の縁部から該絶縁膜までの距離Sと該絶縁膜の段差D、または該圧力起歪部の縁部から該導電膜の縁部までの距離Sと該導電膜の段差Dが、 S/D≧80 の関係を満たすことを特徴とする圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/00 , H01L 29/84

FI (2)：

G01L9/00 303B , H01L29/84 B

F-Term (26)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF49 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA08 , 4M112CA13 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA06 , 4M112DA10 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA11 , 4M112EA18 , 4M112FA07 , 4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

ピエゾ抵抗型圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-176855 Applicant：キヤノン株式会社
半導体圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213593 Applicant：豊田工機株式会社, 株式会社東芝
圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-089644 Applicant：日本精機株式会社

Cited by examiner (3)

半導体圧力センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213593 Applicant：豊田工機株式会社, 株式会社東芝
半導体圧力センサ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-286725 Applicant：三菱電機株式会社
半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-228783 Applicant：株式会社日立製作所

Return to Previous Page