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J-GLOBAL ID：200903082165904240

半導体装置の製造方法

Inventor：
山田 豊

About 山田 豊


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273013
Publication number (International publication number)：1997115986
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大チップをUVテープから剥離する際に,UVテープの接着力を低減して,チップにクラックの発生及び突き上げピンの破損を防止する。【解決手段】 1)表面に紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を90°C以上に保つ,2)前記テープがポリオレフィン系樹脂からなり,その表面温度を90〜140 °Cに保つ。
Claim (excerpt)：
表面に紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を90°C以上に保つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/301
FI (3)：
H01L 21/68 E ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/78 P
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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