Pat

J-GLOBAL ID：200903082185972625

多結晶ダイヤモンド薄膜、それを用いた光電陰極及び電子管

Inventor： 新垣 実 ,  内山 昌一 ,  菅 博文
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046248
Publication number (International publication number)：2001233694
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Aug. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光電変換量子効率の高い多結晶ダイヤモンド薄膜とそれを備えた光電陰極及び電子管を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明に係る多結晶ダイヤモンド薄膜は、粒子径の平均が1.5μm以上であり、かつラマン分光法によって得られるラマンスペクトルにおいて、波数1580cm-1付近のピーク強度は波数1335cm-1付近のピーク強度に対し、その比率が0.2以下とする。また、この発明に係る光電陰極2及び電子管1は、上記の多結晶ダイヤモンド薄膜を光吸収層22として備える。

Claim (excerpt)：

粒子径の平均が1.5μm以上であり、かつラマン分光法によって得られるラマンスペクトルにおいて、波数1580cm-1付近のピーク強度は波数1335cm-1付近のピーク強度に対し、その比率が0.2以下であることを特徴とする多結晶ダイヤモンド薄膜。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  H01J 1/34 ,  H01J 40/06

FI (4)：

C30B 29/04 N ,  C23C 16/27 ,  H01J 1/34 C ,  H01J 40/06

F-Term (12)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB03 ,  4K030CA05 ,  4K030FA01 ,  5C035AA20 ,  5C035CC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンド被覆物品とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-195394   Applicant：日本特殊陶業株式会社
• 光電陰極及びそれを備えた電子管
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252334   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• ダイヤモンド結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217961   Applicant：松下電工株式会社, 松下電器産業株式会社
• 反射型光電陰極及び透過型光電陰極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-318154   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Surface quality and composition dependence of absolute quantum photoyield of CVD diamond films