反射型光電陰極及び透過型光電陰極

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998318154
Publication number (International publication number)：2000149767
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】優れた量子効率、長期安定性及び耐久性を有するダイヤモンドで形成された受光部を有する反射型光電陰極並びに透過型光電陰極を提供する。【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜、表面が(100)配向性ダイヤモンド膜、表面が(111)配向性ダイヤモンド膜、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜、孤立粒子状ダイヤモンド等の特徴的な構造を有するダイヤモンド膜をシリコン又は炭化珪素等の半導体、白金、イリジウム又はモリブデン等の金属及び石英又はフッ化カルシウム等のセラミックスを基板として形成する。

Claim (excerpt)：

受光部がダイヤモンド膜で形成され、前記ダイヤモンド膜は、多結晶膜であると共に、その膜厚が、10μm以下であることを特徴とする反射型光電陰極。

IPC (3)：

H01J 1/34 , H01J 1/30 , H01J 40/06

FI (3)：

H01J 1/34 C , H01J 1/30 A , H01J 40/06

F-Term (2)：

5C035BB01 , 5C035CC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光電陰極及びそれを備えた電子管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-252334 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
透過型2次電子面及び電子管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-295189 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
光電面および光電子増倍管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-224143 Applicant：浜松ホトニクス株式会社