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J-GLOBAL ID：200903082464387732

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor：
中西 敏雄

About 中西 敏雄


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998335811
Publication number (International publication number)：2000164391
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ密度の高さと均一性とを向上させる。【解決手段】 試料台3に対向する対向電極18の底面よりも、対向電極18の周囲に配設される環状のマイクロ波導入板4の底面が、イオンシースの厚さに相当する5mm以上、試料台3の方向へ突出している。このため、環状導波管型アンテナ部12aに導入されたマイクロ波が、マイクロ波導入板4の底面と、マイクロ波導入板4の内周との、双方を通じて、処理室2へと伝搬する。このため、マイクロ波の処理室2への導入効率が高く、特に、対向電極18が対向する領域でのプラズマの生成効率が高まる。このため、処理室2におけるプラズマ密度の高さ、および、均一性が向上する。その結果、試料基板Wへ施されるプラズマ処理の効率および均一性が高められる。
Claim (excerpt)：
処理対象である試料を載置する試料台を格納した処理室へマイクロ波を導入し、当該マイクロ波によりプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前記試料に処理を行うためのマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記試料台に対向した導電体と、前記導電体の周囲に配設された環状平板のマイクロ波導入板と、前記マイクロ波導入板の上に配設された導電性の管状部材と、を備え、前記管状部材の前記マイクロ波導入板に対向する部分に、開口部が開設されており、当該開口部の内周側の端部と前記導電体の外周との間の前記マイクロ波導入板に沿った方向での光学的距離が、前記マイクロ波の真空中での波長の1/4倍以上に設定されているマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (3)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H05H 1/46 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
F-Term (27)：
5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA07 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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