Pat
J-GLOBAL ID：200903082666842733

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor：
山崎 圭一

About 山崎 圭一

, 
柴田 哲司

About 柴田 哲司


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003133701
Publication number (International publication number)：2004342328
Application date： May. 12, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】生産性を低下させることなくプラズマ生成用ガスの消費量や印加電力を少なくして低ランニングコストで熱的なダメージの少ないプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】対向配置された複数の電極1、2の間に放電空間3を形成すると共に少なくとも一つの電極1(2)の放電空間3側に誘電体被覆材4を設ける。放電空間3に球状あるいはペレット状の誘電体粒子5を充填する。放電空間3にプラズマ生成用ガスを供給しながら電極1、2間に電圧を印加することによって、放電空間3に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせてプラズマ6を生成する。このプラズマ6を放電空間3から被処理物9に吹き付けることによって被処理物9をプラズマ6に曝露させる。放電の安定性を損なうことなく電極1、2のギャップを大きくすることができ、電極1、2の対向方向における放電空間3の寸法を大きくすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
対向配置された複数の電極の間に放電空間を形成すると共に少なくとも一つの電極の放電空間側に誘電体被覆材を設け、放電空間に球状あるいはペレット状の誘電体粒子を充填し、放電空間にプラズマ生成用ガスを供給しながら電極間に電圧を印加することによって、放電空間に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせてプラズマを生成し、このプラズマを放電空間から被処理物に吹き付けることによって被処理物をプラズマに曝露させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H05H1/46 ,  B01J19/08 ,  C03C23/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065
FI (5)：
H05H1/46 M ,  B01J19/08 H ,  C03C23/00 A ,  C23F4/00 A ,  H01L21/302 101E
F-Term (38)：
4G059AA01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB01 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC24 ,  4G059AC30 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  4K057DA01 ,  4K057DA11 ,  4K057DB01 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DM28 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA21 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM