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J-GLOBAL ID：200903083449379444

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 國里 竜也 ,  野村 康彦 ,  冨永 浩司 ,  畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074179
Publication number (International publication number)：1999274560
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【目的】 信頼性の高い3族窒化物半導体を用いた半導体素子を提供すると同時に、前記半導体素子を再現性よく提供する。【構成】 基板1上に3族窒化物半導体からなる能動素子領域を備えた半導体素子であって、該基板1と該能動素子領域との間に、多層構造を有するバッファ層2を備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に3族窒化物半導体からなる能動素子領域を備えた半導体素子であって、該基板と該能動素子領域との間に、多層構造を有するバッファ層を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087062   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237501   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平3-203388
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038259   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-013393   Applicant：シャープ株式会社