Pat

J-GLOBAL ID：200903083467956530

ヒューズ素子の切断方法、ヒューズ素子及びヒューズ素子を有する半導体装置

Inventor： 大村 昌良
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006094490
Publication number (International publication number)：2006310829
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】 装置の信頼性低下を回避することができるヒューズ素子の切断方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたヒューズ素子に、電気パルスを複数回印加し、該ヒューズ素子を切断する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたヒューズ素子に、電気パルスを複数回印加し、該ヒューズ素子を切断する工程を含むヒューズ素子の切断方法。

IPC (5)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823

FI (3)：

H01L21/82 F ,  H01L27/04 V ,  H01L27/06 102A

F-Term (33)：

5F038AV02 ,  5F038AV15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE01 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F064CC09 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE52 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF36 ,  5F064FF45 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064GG07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体集積回路のヒューズ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-108911   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342220   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-299139号公報
  
• 特開昭59-105354号公報
  
• 半導体記憶装置、および半導体記憶装置におけるヒューズの切断不良判定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-006396   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-046496
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-140831   Applicant：株式会社豊田中央研究所, 日本電装株式会社
• アンチヒューズ型半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210670   Applicant：川崎製鉄株式会社