電磁波吸収膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391623
Publication number (International publication number)：2002158486
Application date： Nov. 17, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は,電気比抵抗,飽和磁化と異方性磁界が共に大きく,且つGHz帯域で大きな電磁波の吸収特性を有するナノグラニュラー軟磁性膜からなる電磁波吸収膜を提供することにある.【解決手段】本発明は,一般式M<SB>100-X</SB>I<SB>X</SB>で表され,MはFe,Co及びNiのいずれか1種または2種以上の元素からなる10nm以下の粒径を有する強磁性微粒子が高密度に分布してなり,IはMからなる強磁性微粒子を囲む酸化物,窒化物又はフッ化物等の絶縁物からなる粒界物質であり,当該Iの原子比Xが10<X<50であり,6kG以上の飽和磁化,30Oe以上の異方性磁界及び150μΩcm以上の電気比抵抗を有し,且つGHz帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが30以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特徴とする電磁波吸収膜である.

Claim (excerpt)：

一般式M<SB>100-X</SB>I<SB>X</SB>で表され,MはFe,Co,及びNiのいずれか1種又は2種以上の元素からなる10nm以下の粒径を有する強磁性微粒子で,高密度に分布してなり,IはMからなる強磁性微粒子を囲む酸化物,窒化物又はフッ化物のいずれか1種又は2種以上の絶縁物からなる粒界物質であり,当該Iの原子比Xが10<X<50で,飽和磁化6kG以上,異方性磁界30Oe以上及び電気比抵抗150μΩcm以上を有し,且つGHz帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが30以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特徴とする電磁波吸収膜.

IPC (3)：

H05K 9/00 , H01F 1/00 , H04B 15/00

FI (3)：

H05K 9/00 M , H04B 15/00 , H01F 1/00 C

F-Term (14)：

5E040CA13 , 5E321AA14 , 5E321BB23 , 5E321BB25 , 5E321BB44 , 5E321CC16 , 5E321GG07 , 5E321GG11 , 5E321GH03 , 5K052AA02 , 5K052BB01 , 5K052DD15 , 5K052DD27 , 5K052FF36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

一軸磁気異方性膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-267628 Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
超微結晶磁性膜からなる電波吸収体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338404 Applicant：三井金属鉱業株式会社
磁性薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-224438 Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所

Show all

Return to Previous Page