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J-GLOBAL ID：200903083795753077

レーザー光の照射装置およびレーザー光の照射方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994335042
Publication number (International publication number)：1996172050
Application date： Dec. 19, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 レーザー光の照射による半導体膜のアニール方法において、よりアニール効果の高い方法を提供する。【構成】 ガラス基板110上に成膜された非晶質珪素膜102に対して線状にレーザー光100を109の方向に相対的に走査させながら照射する。この際、105、106で示されるヒーターによって、レーザー光が照射される直前の領域と直後の領域とを加熱する。このような構成とすることにより、レーザー光の照射に従う急激な相変化が生ぜず、非晶質珪素膜102をより結晶性の高い状態とすることができる。
Claim (excerpt)：
半導体膜に対してレーザー光を照射する手段と、前記レーザー光を相対的に走査して前記半導体膜に対して照射する手段と、前記半導体膜の前記レーザー光が照射される直前の領域と前記レーザー光が照射される直後の領域とを選択的に加熱する手段と、を有することを特徴とするレーザー光の照射装置。
IPC (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01S 3/00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (18)
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