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J-GLOBAL ID:200903083927392028
半導体素子搭載用基板キャリアー及びこれを用いた半 導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
金山 聡 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998201427
Publication number (International publication number):2000031319
Application date: Jul. 16, 1998
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 放熱性に優れた半導体素子搭載用基板キャリアー及びこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子搭載用基板キャリアーは、エリアアレイタイプの半導体装置に用いる半導体素子搭載用の基板キャリアーであって、内部に少なくとも1個の貫通孔が形成されている金属平板をコア層とし、このコア層の両側に、少なくともそれぞれ1層ずつの電気的絶縁性の樹脂からなる絶縁層と、導体配線が形成されている配線層と、を備え、当該導体配線のうちの一部は、金属コア層に形成された貫通孔内の絶縁層に形成された導通孔を通じ互いに直接的に金属コア層の両面で通じており、また、当該導体配線のうちの一部は、当該金属コア層上に形成された導通孔により電気的に金属コア層と接続している、ことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、当該基板キャリアーを用いた半導体装置にある。
Claim (excerpt):
エリアアレイタイプの半導体装置に用いる半導体素子搭載用の基板キャリアーであって、内部に少なくとも1個の貫通孔が形成されている金属平板をコア層とし、このコア層の両側に、少なくともそれぞれ1層ずつの電気的絶縁性の樹脂からなる絶縁層と、導体配線が形成されている配線層と、を備え、当該導体配線のうちの一部は、金属コア層に形成された貫通孔内の絶縁層に形成された導通孔を通じ互いに直接的に金属コア層の両面で通じており、また、当該導体配線のうちの一部は、当該金属コア層上に形成された導通孔により電気的に金属コア層と接続している、ことを特徴とする半導体装置に用いる半導体素子搭載用基板キャリアー。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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半導体プラスチックパッケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-034237
Applicant:三菱瓦斯化学株式会社
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半導体搭載用回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-105266
Applicant:株式会社住友金属エレクトロデバイス
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半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法及び半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-285327
Applicant:新光電気工業株式会社
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特開昭62-039031
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リードフレーム及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-237431
Applicant:ソニー株式会社
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半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-313340
Applicant:日本ミクロン株式会社
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プリント基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-197085
Applicant:株式会社日立製作所, シプレイ・ファーイースト株式会社
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半導体搭載基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-342811
Applicant:住友ベークライト株式会社
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