液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293212
Publication number (International publication number)：2003098548
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、生産性を向上し材料の利用効率を高くすることができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、半導体層4のほぼ中央部に所定幅の半導体層上絶縁層5aを有すると共にゲート絶縁層3上にパターン化して形成される第2の絶縁層5を設ける。半導体層4上にソース電極6とドレイン電極7を塗付によって形成し、半導体層上絶縁層5aの幅はゲート電極2の幅より小さく形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタを含む画素を有するアクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層の順に積層配置され、前記半導体層のほぼ中央部に所定幅の半導体層上絶縁層を有すると共に前記ゲート絶縁層上にパターン化して形成される第2の絶縁層を設け、前記第2の絶縁層によってパターン化された前記半導体層上絶縁層の一方側と他方側の前記半導体層上にソース電極とドレイン電極を塗付によって形成し、前記第2の絶縁層の半導体層上絶縁層の幅は前記ゲート電極の幅より小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5)：

G02F 1/1368 , H01L 21/288 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (5)：

G02F 1/1368 , H01L 21/288 Z , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 619 A , H01L 29/28

F-Term (87)：

2H092GA11 , 2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA26 , 2H092GA29 , 2H092GA30 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092KB01 , 2H092KB04 , 2H092KB05 , 2H092MA01 , 2H092MA10 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ18 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平2-139972
特開平2-232935
薄膜半導体装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364554 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (8)

特開平2-139972
特開平2-232935
薄膜半導体装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364554 Applicant：ソニー株式会社

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