負性抵抗素子およびその製造方法ならびに単電子トンネル素子およびその製造方法ならびに光センサおよびその製造方法ならびに機能素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006173394
Publication number (International publication number)：2008004791
Application date： Jun. 23, 2006
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】簡単なプロセスにより低コストで製造することができ、基板選択性も高く、常温を含むより高温で動作可能でしかもノイズにも強い負性抵抗素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にゲート絶縁膜12を形成し、その上にZnOなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット13aが一面内において二重ショットキー障壁13bを介して互いに接合した多重ナノドット構造体13を形成し、その上にソース電極14およびドレイン電極15を形成することにより、MOSFET構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。ナノドット13aの径は60nm以下または20nm以下にする。このトンネル負性抵抗素子を単電子トランジスタ、単電子ポンプ、単電子メモリなどとして用いる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

酸化物半導体から成る複数のナノドットが一面内において二重ショットキー障壁を介して互いに接合した多重ナノドット構造体によりチャネル領域が構成された電界効果トランジスタから成ることを特徴とする負性抵抗素子。

IPC (6)：

H01L 29/66 , H01L 29/786 , H01L 27/10 , H01L 29/06 , H01L 29/80 , H01L 21/336

FI (9)：

H01L29/66 S , H01L29/78 622 , H01L27/10 451 , H01L29/06 601N , H01L29/80 A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 613B , H01L29/06 601D

F-Term (46)：

5F083FZ01 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F102FB03 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F110AA16 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB13 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体記憶素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-141643 Applicant：シャープ株式会社
固体粒子充填方法とその方法で作製されたナノ構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-235388 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
半導体ナノ構造体及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-241522 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

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