ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003148471
Publication number (International publication number)：2004354417
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、特にラインエッジラフネスが小さく、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。好ましくは、有機溶剤及び酸発生剤を含有してもよく、より好ましくは、さらに溶解阻止剤、又は塩基性化合物及び/又は界面活性剤を含んでもよい。【解決手段】下記一般式(1)に示す(A)モノマーユニットと(B)モノマーユニットと(C)モノマーユニットとからなる一群から選ばれる少なくとも1つを含有する高分子化合物で、ガラス転移温度 (Tg) が100°C以上である高分子化合物を含んでなるポジ型レジスト材料を提供する。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)に示す(A)モノマーユニットと(B)モノマーユニットと(C)モノマーユニットとからなる一群から選ばれる少なくとも1つを含んでなる高分子化合物で、ガラス転移温度 (Tg) が100°C以上である高分子化合物を含んでなるポジ型レジスト材料。

IPC (4)：

G03F7/075 , C08G77/04 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/075 511 , C08G77/04 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (46)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB33 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB60 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J246AA03 , 4J246AB06 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246CA250 , 4J246CA260 , 4J246CA270 , 4J246CA46X , 4J246CA460 , 4J246CA53X , 4J246CA530 , 4J246CA560 , 4J246CA63X , 4J246CA630 , 4J246CB08 , 4J246FA071 , 4J246FA081 , 4J246FB071 , 4J246GA01 , 4J246GB11 , 4J246GC23 , 4J246HA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-048643 Applicant：ジェイエスアール株式会社
ポリシロキサンとその製造方法および感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-111786 Applicant：ジェイエスアール株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-070196 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

Show all

Return to Previous Page