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J-GLOBAL ID:200903084191645825
半導体基板とその製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000268960
Publication number (International publication number):2001196573
Application date: Sep. 05, 2000
Publication date: Jul. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】新規な構成による深さ方向に均一な濃度プロファイルの半導体層を有する半導体基板とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1にトレンチ2を形成し、エピタキシャル成長法によりトレンチ2内を含めたシリコン基板1上にエピタキシャル膜5を形成する。エピタキシャル膜5の一部をエッチング処理した後に、エピタキシャル成長法によりトレンチ2内を含めたシリコン基板1上にエピタキシャル膜6を形成して、重ねたエピタキシャル膜5,6にてトレンチ2内を埋め込む。エピタキシャル膜5,6の表面を平坦化すると、深さ方向に延びる拡散層3がシリコン基板1に形成される。
Claim (excerpt):
半導体基板(11)に、底部での幅(E)よりも開口部での幅(F)が大きなトレンチ(12)が形成され、当該トレンチ(12)内部に、トレンチ(12)を横切る基板表面と平行な任意の面内での横方向の寸法よりも基板表面に対し法線方向の寸法の方が大きい半導体層(13)が充填されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (3):
H01L 29/16
, H01L 21/205
, H01L 21/28
FI (3):
H01L 29/16
, H01L 21/205
, H01L 21/28 Z
F-Term (49):
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA05
, 4M104BB01
, 4M104CC01
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD15
, 4M104DD22
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD50
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD55
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 4M104FF13
, 4M104FF16
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104FF27
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG18
, 4M104HH15
, 4M104HH20
, 5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD03
, 5F045AD04
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045DB02
, 5F045DB03
, 5F045DB05
, 5F045HA13
, 5F045HA14
, 5F045HA16
, 5F045HA22
, 5F045HA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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特開昭58-108775
-
特開昭49-130185
-
特開昭57-186323
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-133970
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-277497
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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Cited by examiner (15)
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特開昭58-108775
-
特開昭49-130185
-
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-068916
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-313852
Applicant:三洋電機株式会社
-
気相シリコンエピタキシャル成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-004346
Applicant:日本電気株式会社
-
特開平2-247384
-
特開昭61-229317
-
特開昭57-186323
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プレーナ型半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-020060
Applicant:富士電機株式会社
-
高耐圧プレーナ型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-049005
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平3-116976
-
特開昭58-114434
-
特開昭58-108775
-
特開昭49-130185
-
特開昭61-295624
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