半導体基板表面の絶縁膜の形成方法及びその形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997164513
Publication number (International publication number)：1999016900
Application date： Jun. 20, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】高温加熱を用いることなく、半導体基板の表面の絶縁膜の膜質および電気特性を制御良く改良することのできる半導体基板表面の絶縁膜の形成方法およびその形成装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1表面を洗浄した後、1〜20nmの二酸化シリコン膜5を形成し、次いで、このシリコン基板1を0°C〜700°Cの温度に保った状態で電子衝撃により生成したプラズマに暴露することにより、絶縁膜中に窒素原子を含有せしめることにより絶縁膜6を改質し、良好な電気特性を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成した絶縁膜を電子衝撃によって発生させたプラズマに暴露することを特徴とする半導体基板表面の絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/316 P , H01L 21/31 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-065812 Applicant：日新電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-193781 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020086 Applicant：富士通株式会社

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