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J-GLOBAL ID：200903084666775354

表面波励起プラズマ処理装置

Inventor：
鈴木 正康

About 鈴木 正康


Applicant, Patent owner：
株式会社島津製作所

About 株式会社島津製作所


Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003272842
Publication number (International publication number)：2005033100
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：
【課題】 誘電体の全領域にわたって均一なプラズマを生成することができる表面波励起プラズマ処理装置【解決手段】 プラズマが生成されるチャンバ内にマイクロ波を導入する誘電体板32上には、複数のスロット導波管31b、31cが配設される。スロット導波管31b、31cはT型分岐導波管31aに接続されており、T型分岐導波管31aに導入されたマイクロ波は3つに分岐されて、各のスロット導波管31b、31cにそれぞれ伝搬される。T型分岐導波管31aの分岐点Oからスロット導波管31bの終端Bまでの長さ、分岐点Oからスロット導波管31cの終端Cまでの長さ、および分岐点Oからスロットアンテナ300aまでの長さは、それぞれマイクロ波の管内波長λgの整数倍に設定される。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
プラズマを生成するチャンバ内にマイクロ波を導入するための誘電体と、 前記誘電体上に配設され、スロットアンテナを有する複数のスロット導波管と、 マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、 前記複数のスロット導波管を並列接続し、前記マイクロ波発生部からのマイクロ波を分岐して前記複数のスロット導波管の各々に伝搬する分岐導波管とを備え、 前記分岐導波管の分岐点から前記複数のスロット導波管の各終端までの長さを、それぞれマイクロ波の管内波長の整数倍に設定したことを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46
FI (4)：
H01L21/31 C ,  B01J19/08 E ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B
F-Term (29)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE31 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-289746   Applicant：株式会社日立製作所
  • プラズマ処理装置及び方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-010781   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 八坂保能
  • プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-012269   Applicant：ワイエイシイ株式会社
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