多層配線の研磨方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141656
Publication number (International publication number)：1997326392
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Wプラグ表面の凹形状と酸化膜上の傷及び酸化膜のくぼみの発生を抑止でき、完全平坦化が図れ、リソグラフィー等の後工程におけるトラブル発生率を低減できる多層配線の研磨方法を提供する。【解決手段】段差のある半導体基板上に被覆された金属膜の研磨を2段階に分けて研磨することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

段差のある半導体基板上に被覆された金属膜の研磨を2段階に分けて研磨することを特徴とする多層配線の研磨方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

研磨粒子および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320714 Applicant：ソニー株式会社
研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-010146 Applicant：ソニー株式会社
埋込み形および突起状タングステンプラグを形成するための化学的・機械的ポリッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026065 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

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